收藏本站
Typical Characteristics
1.2
1.15
1.1
1.0
0.9
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.10
1.05
I D = 250 μ A
0.8
0.7
0.6
0.5
1.00
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.90
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 70A
C ISS
8
V DD = 15V
V DD = 20V
1000
C OSS
6
V DD = 25V
4
f = 1MHz
V GS = 0V
C RSS
2
100
0.1
1 10
50
0
0
20
40 60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
FDB8444 Re v A2 (W)
6
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB8445 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
FDB8447L MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
FDB8453LZ MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB
FDB86102LZ MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
FDB86135 MOSFET N-CH 100V D2PAK
FDB8832 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8860_F085 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8870_F085 MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB8444_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 5.5m??
FDB8444_F085 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8444TS 功能描述:MOSFET 40V N-Channel w/Temp Sensor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8445 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8445_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 9m??
FDB8445_F085 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8447L 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8453LZ 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube